东京电子将在宫城县投资 1000 亿日元建设新半导体工厂

霓虹百事通

2027年夏天，将在宫城建造一座生产等离子蚀刻设备的新大楼。
东京电子6日宣布，将在宫城县建设新的半导体制造设备生产大楼。预计施工将于 2025 年夏季开始，并于 2027 年夏季完工。建设成本约为1040亿日元。我们制造在半导体所用材料晶圆上形成电路的等离子蚀刻设备。随着新大楼的建设，到2029年3月为止的财年，生产能力将增加至目前的1.8倍，未来将增加至3倍。

该公司将在其子公司东京电子宫城公司（宫城县大和町）建造一座新的生产大楼。该公司是等离子蚀刻设备的主要工厂。新建筑高五层，总建筑面积约88,600平方米。该公司计划在截至2017年3月的财年将员工人数增加至1,100人，未来将增加至1,400人。

美国大型半导体制造设备公司Lam Research占据全球蚀刻设备市场约40%的份额。东京电子正在努力追赶。东京电子宫城工厂还正在建设第三座开发大楼，用于开发等离子蚀刻设备，预计将于2025年春季竣工。